ZEPマガジン

SiC JFETとSi MOSFETを縦に組み合わせたカスコード構成は，ノーマリ・オン特性を扱いやすくし，ノーマリ・オフのような挙動を可能にする

GaN MOSFETの高速スイッチングを活かすためには寄生インダクタンスを抑えるレイアウトとデッドタイムの管理が重要

SiC（炭化ケイ素）MOSFETは，シリコン（Si）ベースのMOSFETに比べて，同じドリフト層の厚さでも約30?40倍の耐圧が得られる特性をもつ

SiC（炭化ケイ素）は700Vから1200V，さらには1700V以上の高耐圧領域で普及が進んでいる．電気自動車や産業用インバータ向けに開発が進んでいる

現在のGaNは，GaN on Siliconという形で横型のプロセスを採用．電子の流れが基板に対して平行方向に進むため，微細化によるスイッチング速度アップが可能

スーパージャンクションMOSFETは，P柱を利用した電界制御により，ドリフト層の厚みや抵抗を増やすことなく，高耐圧化と低オン抵抗を両立している

パワーMOSFETは縦型プレーナ構造をもち，電流はソース（S）からドレイン（D）へ，シリコン基板の厚み方向に流れる

内蔵基板は2種類．1つはリアルな個別抵抗やキャパシタなどのチップ部品を物理的に埋め込む方式，もう1つは部品機能自体を基板構造の中で再現する方式

ビアの処理は，プリント基板の長期的な信頼性に直結する．中途半端なレジスト被覆は避け，完全な貫通か埋め処理のどちらかに統一すべき

絶縁信頼性の評価には，温湿度環境での加速試験や電圧印加が有効．評価対象となるクーポンの選定や設計構造に応じた層別試験を行うことで，基板全体の絶縁品質を適切に判断できる

「導通性テスト」は，初期検査だけでなく，長期的な安定性を見据えた試験が必要．経年劣化を短期間で再現する熱衝撃試験などの加速試験を行うべき

長期信頼性に直結する樹脂ミアやウィッキング，ボイドなど微細な欠陥はスルーホールの断面からわかる

抵抗値が中途半端な状態や経時変化する現象は，電気検査では検出が難しい．破壊検査によるマイクロレベルの確認が必要

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正しくシミュレーションするためには，デバイス・モデルやPWMパターンの精度や発熱や冷却条件を含めた熱モデルが必要．使いこなすには十分な経験と知識が必要

インバータの故障原因の特定には，結局のところ，電圧・電流波形，操作手順，モータ挙動などの記録作業と実験の積み重ねが近道

VIAホールの焼損防止には，電流密度計算と熱設計が必要．許容電流は単純な断面積比ではなく，メッキ厚や熱拡散条件を考慮して算出する

大電流基板の放熱対策は，層数増しではなく，熱伝導経路の最適化が重要．内層配線活用時には，ビアの電流容量と層間銅箔厚の整合性を厳密に検証すべき

ゲート駆動の高速化は，サージ電圧やEMIを増大させる．発熱とノイズのトレードオフを考慮した最適な速度がある

インダクタンスは回路の高速性と安全性を左右する重要なパラメータ．小さな配線であっても無視できない影響をもち，高速スイッチング・デバイスでは重大なサージ源となる